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三星智能手机S5将搭载英飞凌射频芯片
英飞凌科技有限公司全面支持三星 Galaxy S5,可提供共计 8 种射频器件。该德国半导体制造商在 LTE 低噪声放大器 (LNA)、四频 LNA Bank、GPS LNA 和 SPDT 射频开关等领域是理想的合作伙伴。

 

“智能手机市场中的创新速度令人惊叹。快速提供更高集成度更小体积的新产品是成功的关键。三星等领先智能手机制造商选择我们为用户提供可靠服务和更多功能,我们为此感到骄傲。”英 飞凌科技有限公司副总裁兼射频与防护器件业务部总经理 Philipp von Schierstaedt 说道。

 

英飞凌 LTE LNA 和四频 LNA Bank经过专门设计,在采用英飞凌的LTE LNA后,可使智能手机数据传输速率明显提高( 49%@10dB输入信噪比),因 此能够充分发挥 LTE 通信标准的潜能。 GPS LNA可有效防止手机中其他信号的干扰,确保可靠的导航功能。此外,选用英飞凌 SPDT 射频开关可将射频信号可靠地发送至指定路径。

 

S5 是三星电子公司旗舰智能手机的最新型号。该款智能手机配备两个内置 Wifi 天线和一个下载加速器,结合 LTE 和 Wifi 数据传输即可实现无与伦比的数据传输速率。

 

正式发布后的第一个月内,该款基于 Android 的智能手机即已售出超过 1,100 万部。

 

英飞凌为移动设备和蜂窝基础结构提供大量产品组合,包括射频器件、TVS 二极管、硅麦克风和功率管理 IC。

 

三星 Galaxy S5 包含下列英飞凌器件:

 

LTE LNA(低噪声放大器)

BGA7L1N6

BGA7M1N6

BGA7H1N6

 

四频 LTE LNA Bank

BGM7MLLM4L12

BGM7LLHM4L12

 

GPS LNA

BGA824N6S

 

SPDT 射频开关

BGS12PL6

BGS12SL6

英飞凌公司(Infineon)被热门关注的产品(2022年7月4日)
BGA427E6327BTSA1
射频放大器
封装:SC-82A,SOT-343
SAF-XC164GM-4F20F AA
嵌入式 - 微控制器
产品封装:64-LQFP
TLE49611MXTSA1
磁性传感器 - 开关(固态)
器件封装图片PG-SOT23-3-15
IPL65R340CFDAUMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
器件封装:Thin-Pak(8x8)
TLE9867QXA40XUMA2
嵌入式 - 微控制器 - 应用特定
封装:48-VFQFN
DD340N16SHPSA1
二极管 - 整流器 - 阵列
封装:模块
BC818K16WH6327XTSA1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
封装:SC-70,SOT-323
TT330N12KOFHPSA2
晶闸管 - SCR - 模块
结构:串联 - 全部为 SCR
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