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射频与无线控制 - 英飞凌(Infineon)
Infineon射频与无线控制如今,小型手持通信设备设计面临的主要挑战是,如何适应多种移动通信模式和频带的并存以及适用于小型手持设备的无线应用程序。英飞凌为通信系统(包括 GPS、UMTS、WLAN 和数字电视)提供创新的 MMIC 放大器。英飞凌结合运用获专利的硅锗碳(SiGe:C)工艺和低电阻单片接地技术,产品噪声系数达到同类最低水平, 同时拥有最佳的通信系统性能。这些 MMIC 放大器以裸片或小型封装形式提供。如需样品和评估版,可通过向英飞凌全球的销售和配送合作伙伴获取索取。 英飞凌在射频小信号分立式器件方面具备30多年的开发经验,拥有丰富的专业技术。我们可提供全面的射频前端产品组合,包括二极管、晶体管、MOSFET和ESD保护二极管等。

 

英飞凌的射频前端器件产品组合:

高性能LNA-MMIC

射频双极和MOSFET晶体管

CMOS开关

射频二极管

 

无需降低数据速率和灵敏度性能,即可实现高功率密度射频设计。

 

射频变容二极管一览: 

- 出类拔萃的射频性能和深厚的射频专业知识 

- 成熟的批量生产确保最高的器件一致性 

- 长期提供这些器件的承诺 

- 先进的封装微型化技术支持模块的高度集成 

- 汽车行业品质(符合AEC Q101标准) 

- 符合RoHS标准 

 

应用示例: 

- 手机和无绳电话的压控晶振(VCO) 

- LNB的本振 

- 卫星、UHF、VHF和调频调谐器前置级的前置滤波器 

 

英飞凌射频开关采用独特的射频CMOS工艺制造,将CMOS工艺固有的优点与出类拔萃的射频性能有机结合在一起。

 

英飞凌射频开关的优点  

 

这些优点包括高集成功能和出色的 ESD 鲁棒性。英 飞凌所有的射频开关都无需外置直流阻断电容器,具备完全集成的控制逻辑。立足于兼容逻辑电平的CMOS,射频开关无需外置电平位移器。

 

由于不需要外部元器件,英飞凌 射频 开关为设计出微型电路板创造了条件。如果我们的客户选择超小的芯片级封装(CSP), 就更加能够做到这一点。

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IRF3707LPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
器件封装:TO-262
BSC039N06NSATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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IPD95R750P7ATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
器件封装:PG-TO252-3
IRLR3714ZTRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
器件封装:D-Pak
IKW30N65EL5XKSA1
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
封装:TO-247-3
IRGPH50F
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
封装:TO-247-3
IR3082AMTRPBF
电源管理IC - 电源管理 - 专用型
产品封装:20-VQFN
IR2167PBF
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