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英飞凌代理商 > > 英飞凌芯片 > > SIGC57T120R3LEX1SA3
产品参考图片
SIGC57T120R3LEX1SA3 图片
SIGC57T120R3LEX1SA3
  • 制造厂商:英飞凌(Infineon)
  • 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:模具
  • 技术参数:IGBT 1200V 50A DIE
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    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案,英飞凌(Infineon)授权中国代理商
    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:SIGC57T120R3LEX1SA3
  • 制造商:英飞凌(Infineon Technologies)
  • 描述:IGBT 1200V 50A DIE
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:沟槽型场截止
  • 电压-集射极击穿(最大值):1200V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):-
  • 电流-集电极脉冲(Icm):150A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,50A
  • 功率-最大值:-
  • 开关能量:-
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:-
  • 25°C时Td(开/关)值:-
  • 测试条件:-
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 工作温度:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:模具
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