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IPN60R2K1CEATMA1
制造厂商:英飞凌(Infineon)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:PG-SOT223
技术参数:MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
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技术参数详情:
制造商产品型号:IPN60R2K1CEATMA1制造商:英飞凌(Infineon Technologies)描述:MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:CoolMOS?零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):600V25°C时电流-连续漏极(Id):3.7A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):2.1 欧姆 @ 800mA,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):3.5V @ 60μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):6.7nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):140pF @ 100VFET功能:超级结功率耗散(最大值):5W(Tc)工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:PG-SOT223现在可以订购IPN60R2K1CEATMA1,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。