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IPD65R380E6 图片
IPD65R380E6
  • 制造厂商:英飞凌(Infineon)
  • 类别封装:单端场效应管,PG-TO252-3
  • 技术参数:MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
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    专营英飞凌芯片半导体
    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案,英飞凌(Infineon)授权中国代理商
    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:IPD65R380E6
  • 制造商:英飞凌(Infineon Technologies)
  • 描述:MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
  • 系列:CoolMOS?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):650V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):10.6A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):380 毫欧 @ 3.2A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 320μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):39nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):710pF @ 100V
  • 功率 - 最大值:83W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商器件封装:PG-TO252-3
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