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产品参考图片
IGP30N65F5XKSA1 图片
IGP30N65F5XKSA1
  • 制造厂商:英飞凌(Infineon)
  • 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-220-3
  • 技术参数:IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3
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    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:IGP30N65F5XKSA1
  • 制造商:英飞凌(Infineon Technologies)
  • 描述:IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:TrenchStop?
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:沟道
  • 电压-集射极击穿(最大值):650V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):55A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):90A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,30A
  • 功率-最大值:188W
  • 开关能量:280μJ(开),70μJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:65nC
  • 25°C时Td(开/关)值:19ns/170ns
  • 测试条件:400V,15A,23 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-220-3
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