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BSS83PL6327 图片
BSS83PL6327
  • 制造厂商:英飞凌(Infineon)
  • 类别封装:单端场效应管,PG-SOT23-3
  • 技术参数:MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23
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    专营英飞凌芯片半导体
    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案,英飞凌(Infineon)授权中国代理商
    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:BSS83PL6327
  • 制造商:英飞凌(Infineon Technologies)
  • 描述:MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23
  • 系列:SIPMOS
  • FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):330mA(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):2 欧姆 @ 330mA,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 80μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3.57nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):78pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:360mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:PG-SOT23-3
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