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英飞凌(Infineon)产品型号:IPD65R225C7ATMA1 - FET - 单 - TO-252-3,DPak
图片信息
IPD65R225C7ATMA1封装图片
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基本参数:
  • 制造商:Infineon(中文名:英飞凌)
  • 出厂封装:TO-252-3,DPak
  • 功能类别:FET - 单
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  • 参数详情:

    原厂标准完整型号: IPD65R225C7ATMA1
    制造厂家名称: Infineon Technologies
    功能总体简述: MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
    系列: CoolMOS C7
    FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
    FET 功能: 标准
    漏源极电压(Vdss): 650V
    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 11A(Tc)
    不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 225 毫欧 @ 4.8A,10V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 240μA
    不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 20nC @ 10V
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 996pF @ 400V
    功率 - 最大值: 63W
    安装类型: 表面贴装
    封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
    供应商器件封装: PG-TO252-3

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