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英飞凌(Infineon)产品型号:IPD60R3K3C6 - 单端场效应管 - PG-TO252-3
图片信息
IPD60R3K3C6封装图片
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基本参数:
  • 制造商:Infineon(中文名:英飞凌)
  • 出厂封装:PG-TO252-3
  • 功能类别:单端场效应管
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  • 参数详情:

    制造商零件编号:IPD60R3K3C6
    制造商:Infineon Technologies
    描述:MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
    系列:CoolMOS?
    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
    FET 功能:标准
    漏源极电压 (Vdss):600V
    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1.7A(Tc)
    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3.3 欧姆 @ 500mA,10V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 40μA
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.6nC @ 10V
    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):93pF @ 100V
    功率 - 最大值:18.1W
    安装类型:表面贴装
    封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
    供应商器件封装:PG-TO252-3

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