制造商零件编号：IPB14N03LA G
制造商：Infineon Technologies
描述：MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
系列：OptiMOS?
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：25V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：30A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：13.6 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 20μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：8.3nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1043pF @ 15V
功率 - 最大值：46W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：PG-TO263-3