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基本参数:
参数详情:
制造商零件编号:IPB14N03LA G
制造商:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
系列:OptiMOS?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):30A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):13.6 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 20μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):8.3nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1043pF @ 15V
功率 - 最大值:46W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装:PG-TO263-3

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