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BUZ73 E3046
制造厂商：英飞凌（Infineon）
类别封装：单端场效应管，PG-TO263-3
技术参数：MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
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技术参数详情：
制造商产品型号：BUZ73 E3046制造商：英飞凌（Infineon Technologies）描述：MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB系列：SIPMOSFET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：200V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：7A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：400 毫欧 @ 4.5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：530pF @ 25V功率 - 最大值：40W安装类型：通孔封装/外壳：TO-220-3供应商器件封装：PG-TO263-3现在可以订购BUZ73 E3046，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
