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BSZ042N06NS 图片
BSZ042N06NS
  • 制造厂商:英飞凌(Infineon)
  • 类别封装:单端场效应管,PG-TSDSON-8
  • 技术参数:MOSFET N-CH 60V 19A 8TSDSON
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    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:BSZ042N06NS
  • 制造商:英飞凌(Infineon Technologies)
  • 描述:MOSFET N-CH 60V 19A 8TSDSON
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):17A(Ta),40A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4.2 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 36μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):27nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2000pF @ 30V
  • 功率 - 最大值:2.5W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
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